ＰＣ関連スレ - 1036414893 - したらば掲示板

ＰＣ関連スレ

384：荷主研究者：2005/12/30(金) 20:24:30: http://www.business-i.jp/news/ind-page/news/200509220008a.nwc
日立製作所と東北大学　省エネ高速ＭＲＡＭ開発へ　要素技術を確立
FujiSankei Business i. 2005/9/22

　日立製作所と東北大学は、現状の半導体メモリーに比べて、百倍から千倍の高速性、十分の一の消費電力を実現するＭＲＡＭ（不揮発性磁気メモリー）の要素技術を開発した。これにより、記憶容量が一ギガ（一ギガは十億）ビット級のＭＲＡＭの実現に道が開けたという。

　ＭＲＡＭは、対の微小磁石が敷き詰められた構造。二つの磁石で、それぞれのＮ極とＳ極の向きが同じ「平行」、向きが違う「反平行」の状態を制御することで、いわゆる「０」と「１」の情報を区別し、情報を書き込むという仕組みだ。

　半導体メモリーの一種で、現在メモリーカードなどに実用化されているフラッシュメモリー（電気的一括消去・再書き込み可能型読み出し専用メモリー）に比べて、書き込み速度が二けたから三けたアップ。消費電力は、パソコンなどに利用されているＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）に比べて一けた小さくなると期待されている。

　今回、世界で最も低い電流値で、磁石の向きを変える制御が行えるという実験成果を出し、この制御技術を確立した。具体的な数値は、電流密度で一平方センチ当たり八・八×十の五乗アンペア。これまで、世界の各研究機関が出していた成果に比べて、一けた低い値となった。

　この微小磁石を用いた仕組みは、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）素子と呼ばれるものを用いており、その構造は酸化マグネシウムをコバルト鉄ボロンの化合物でサンドイッチした薄膜。この薄膜の成分構成などを最適化したことで、今回の成果を得られた。

　研究グループは、二〇〇八年をめどに、今回の成果を基に、素子を集積化したＭＲＡＭの基本構造の作製を目指す。

　二〇一〇年から二〇一二年の実用化を見込んでいる。

※書き込む際の注意事項はこちら

※画像アップローダーはこちら

（画像を表示できるのは「画像リンクのサムネイル表示」がオンの掲示板に限ります）