ＰＣ関連スレ - 1036414893 - したらば掲示板

2165：とはずがたり：2017/05/19(金) 15:39:27: 爆発する3次元NAND市場、東芝メモリが買われるワケ
始まった狂乱の3次元NAND投資
http://wedge.ismedia.jp/articles/-/9349
湯之上隆（微細加工研究所所長）

　東芝メモリが開発し、製造しているのは、NANDフラッシュという半導体メモリである。そのNANDは、2次元の微細化が困難になったため、3次元化することになった。そして、3次元NAND市場が爆発しつつある。
…
半導体には、「2年で集積度が2倍になる」というムーアの法則がある。その際、素子の大きさが変わらなければ、チップが大きくなってしまうので、2年で2倍高集積化する際には、「2年で0.7倍微細化する」ことが必要になる。なぜ0.7倍かというと、0.7×0.7＝0.49、つまり、素子の面積を半分にするということである。

…微細化し、16～15nmまで来たところで、大きな壁に直面した。16～15nm以降も微細化は可能なのだが、それ以上微細化してメモリセルが接近し過ぎると、隣り合うメモリセル同士が干渉し合う（クロストーク）という問題が起き始めたのである（図2）。

　クロストークを避けるためには、メモリセル間に一定の距離が必要である。しかし、メモリセル間を詰めることなく、セルを微細化したり、チップを高集積化するのはほぼ不可能である。そこで考え出されたのが、セルを縦に積む方式、つまり3次元NANDである。

　3次元NANDでは、高集積化のために、メモリセルは微細化せず、その代りに縦方向に何層積層するかという競争をしている。4～5年ほど前から始まった3次元NANDの開発は、8～16層を経て24層から32層に移行し、2016年3月に先陣を切って、サムスン電子の西安工場（中国）が48層で大量生産を開始した。東芝は半年～1年遅れとなっている。そして現在の最先端は64層であり、ここでもサムスン電子が先行している。

　2015年、IoTは単なるブームだった。ところが、2016年になって、IoTは本格的に普及し始めた。調査会社のIHSテクノロジーは、2015年に242億個だったネットデバイスは、2020年に530億個になると予測している（図3）。…

2020年までに構築される3次元NAND生産キャパシティ

　本格的なビッグデータ時代を迎え、オールフラッシュサーバーが急速に普及している。それにはHDDではなくSSDが使われる。そのSSDには、高密度な3次元NANDが必要とされている。その需要にこたえるために、NANDメーカーはどのくらい投資して、どのくらいの生産キャパシティを構築しようとしているのか。

　図5に、2016年3月時点での企業別NANDシェアおよび各企業（グループ）のNANDの生産キャパシティを示す。尚、この時点では、多くの企業の主力は2次元NANDだった。

　まず、シェアでは、サムスン電子33％、東芝＆サンディスク（19＋16＝35％）、マイクロン＆インテル（14＋10＝24％）、SK Hynix 8％となっている。

　これらNANDを生産するための各グループの月産キャパシティは12インチウエハ枚数で、サムスン電子48.24万枚、東芝＆サンディスク58.8万枚、マイクロン＆インテル31.95万枚、SK Hynix 24.9万枚で、4グループ合計164.1万枚となっている。

　これに対して、2020年までに、3次元NANDにどのくらいの投資が行われ、どれだけの3次元NANDキャパシティが構築されようとしているのか（図6）。