ＰＣ関連スレ - 1036414893 - したらば掲示板

2017：とはずがたり：2017/01/25(水) 20:46:09: >>2016-2017
RAMの欠点である揮発性を解消した不揮発性メモリのNANDフラッシュはSSDなどで活用されており、SSDは従来のストレージメディアであるHDDを置き換えつつあります。RAMと同様に性能向上が著しいSSDは、近年、より高い信頼性と性能が求められるデータセンターでの利用も進んでいます。ただし、Googleが6年間という長期間にわたってデータセンターで行った調査では、「既存のHDDに比べるとSSDの信頼性は低い」という結論が下されるなど、いまだにSSDがHDDを完全に置き換えられる段階にはありません。

DRAMの持つ高速性というメリットと揮発性というデメリットを補って、RAMとNANDフラッシュの中間の特性を持つ新たなRAMの開発も進んでいます。磁気抵抗メモリ(MRAM)は有力な代替メモリの一つ。メモリセルを磁化することでデータを記録するMRAMは、不揮発性にもかかわらず高い書き込み速度を持ち、書き換え回数も無制限という大きな特徴を持つため、DRAMやストレージを置き換えるメモリとして期待されています。

また、IntelとMicronが共同開発する「3D XPoint(3Dクロスポイント)」も有力なメモリ技術です。記録密度がDRAMの10倍以上、書き込み速度＆耐久性がNANDフラッシュの1000倍で、なおかつ不揮発性という特性を備える3D XPointメモリは、DIMMにも対応するので、DRAMをキャッシュとして使い超高速ストレージとして利用することも想定されています。他にもIBMが取り組むカルコゲナイドガラスの結晶/アモルファスの相互変化をデータ記録に利用する「相変化メモリ」は、DRAMよりも高密度かつ低コストな不揮発性メモリを製造できる可能性を持ちます。

コンシューマー向けのPCやスマートフォンにおいてRAMの大容量化・高速化はマルチタスク用途において大きな威力を発揮します。そのため、RAMの大容量化・高速化を求める声は大きく、この傾向は最先端のスーパーコンピューターにおいても同様です。2016年時点で世界最高速のスーパーコンピューターの座を射止めた中国の「神威」は1.3PB(1300TB)のDDR3メモリを搭載しています。大容量・超高速メモリは高性能なスーパーコンピューターにとっては不可欠の存在で、理化学研究所と富士通が2020年を目標に共同開発するポスト「京」世代のスーパーコンピューターや、2022年に完成予定のエジンバラスーパーコンピューターセンターの次世代スーパーコンピューターには、DRAMとともに3D XPointメモリが搭載されると考えられています。

アメリカのオバマ大統領が提唱する「Exascale Computing Project」は、2023年までにエクサバイトスケールの新スーパーコンピューターの完成を目標に掲げていますが、その中で処理速度だけでなく電力効率においても著しい性能向上を要求しています。この相反する条件をクリアするために、RAMが果たす役割はさらに大きなものになるとみられており、今後もコンピューターの進化にとってRAMの性能向上が求められていきそうです。