企業の提携・合併観察スレ

1037：荷主研究者：2011/02/27(日) 13:27:18: http://www.sankeibiz.jp/business/news/110217/bsc1102170501001-n1.htm
2011.2.17 05:00　Fuji Sankei Business i.
パワー半導体、三菱電独走　省電力・小型化、全素子をＳｉＣ化

小型で、パワー半導体素子をすべて炭化ケイ素で構成し、駆動回路と保護回路までを内蔵した「フルＳｉＣ－ＩＰＭ」（右）。左は従来のシリコン製＝東京都千代田区

　三菱電機は１６日、世界で初めて、使用する半導体の素子をすべて炭化ケイ素（ＳｉＣ）で構成したパワー半導体モジュール（複合部品）「フルＳｉＣ－ＩＰＭ」を開発したと発表した。素子にシリコンを用いる従来製品に比べ、電力損失量を７０％程度カットでき、モジュールの体積も半減した。家電製品や自動車制御装置の省電力化、小型化へ向け、実用化を急ぎ幅広い分野で需要の取り込みを狙う。

　パワー半導体は記憶や演算に使うフラッシュメモリーなどと違い、交流電流を直流に変換したり、電圧を変化させる機能を持つ。モーターの駆動やバッテリーの充電などに使われる。

　半導体素子に炭化ケイ素を使った「フルＳｉＣ－ＩＰＭ」は、シリコン製に比べて損失電力を低減し、通電効率を大幅に向上させた。通常、損失した電力は熱として外部に放出されるが、ＳｉＣ製はロスが少ない分、放熱量も少なく「二酸化炭素（ＣＯ２）低減につながる次世代型の半導体」（山西健一郎社長）と期待される。

　モジュールには、半導体に流れる余分な電流や逆流をリアルタイムで感知する「電力センス」を搭載。トラブルの際には即座に電流を遮断し、ほかの搭載機器に影響を与えないよう工夫した。

　三菱電機はこれまでも、一部の半導体素子にＳｉＣを使ったパワー半導体を開発しており、昨年１１月には同社製エアコンに搭載して発売したが、全素子をＳｉＣ化するのは初めて。

　同社によると、パワー半導体の世界市場規模は２００９年の８３００億円から、１５年には１兆２４５０億円に急成長する見通し。同社は１４年をめどに、新型モジュールを同社製の太陽光発電システムや、鉄道・自動車用の駆動制御装置、家電製品に搭載して実用化する。「もともと強みを持つ製品の付加価値をさらに高め」（山西社長）、競合他社を引き離す戦略だ。

　また、山西社長は同日、半導体分野を含めた１１年度の研究開発費を１０年度（約１５００億円）比で５～１０％増額する方針も表明した。（渡部一実）

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