大野英男掲示板スピントロニクスノーベル物理学賞

4：大野英男掲示板：2011/10/02(日) 04:36:29: 「半導体結晶成長」　発行年月日：1999/02/08
編著：大野英男

エレクトロニクスや最先端科学を支えている多様な半導体の結晶成長について，表面における原子・分子の動きをとらえることから，結晶成長とその技術，さらには成長した半導体結晶の性質に至るまでを解説した。

＜目次＞
1.　走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程のその場観察
　1.1　固相エピタキシーとは
　1.2　非晶質Siの表面モフォロジー
　1.3　SPE過程
2.　Si-Ge系のCVDエピタキシーと原子層成長制御
　2.1　高品質Si-Ge系ヘテロ構造の実現を目指して
　2.2　CVDプロセスの高清浄化
　2.3　CVD表面反応機構
　2.4　高Ge比率Si/Si1-xGex/Siヘテロ構造の形成
　2.5　SiとGeの原子層成長制御
3.　GaAsの単分子成長機構
　3.1　単分子層成長技術開発の経緯
　3.2　MOCVD反応系での反応
　3.3　分子層エピタキシー（MLE）
　3.4　MLEにおける表面吸着反応
4.　・-・族化合物半導体のエピタキシーと表面構造
　4.1　はじめに
　4.2　エピタキシャル成長の表面過程
　4.3　化合物半導体のエピタキシャル成長
　4.4　GaAsのMBE成長と表面構造
　4.5　GaAs成長の動的過程
　　4.5.1　MBE成長に伴うRHEED強度振動
　　4.5.2　マイグレーションエンハンストエピタキシー法におけるGaAs成長機構
　4.6　成長表面の実空間観察
　4.7　むすび
5.　・-・族希薄磁性半導体の結晶成長と物性
　5.1　半導体と磁性
　5.2　希薄磁性半導体
　5.3　分子線エピタキシー法による結晶成長
　5.4　電気的・磁性的性質
　5.5　エレクトロニクスに向けて
6.　・-・族半導体量子井戸の作製と光物性
　6.1　・-・族半導体
　6.2　・-・族半導体量子井戸の作製
　　6.2.1　ホットウォールエピタキシー法
　　6.2.2　Zn1-xCdxSe/ZnSe系量子井戸の成長
　6.3　・-・族半導体2次元量子井戸の光物性
　6.4　希薄磁性半導体量子井戸
　6.5　希薄磁性半導体量子ドット
　6.6　ナノ構造半導体の応用
7.　ZnS系材料の分子線エピタキシー成長
　7.1　光情報記録の鍵をにぎるワイドギャップ材料
　7.2　ZnS系材料の特徴
　7.3　MBE成長の概要
　7.4　光学的評価
　7.5　ZnSの伝導度制御
8.　垂直ブリッジマン法によるtwin-free ZnSe単結晶の作製と評価
　8.1　ZnSe単結晶の応用と結晶作製上の問題点
　8.2　結晶成長法
　8.3　self-seeding法による単結晶成長
　8.4　種結晶を用いた育成
　8.5　高圧溶融VB法育成単結晶の評価
　　8.5.1　基板の作製
　　8.5.2　直交ニコルによる観察
　　8.5.3　転位密度
　　8.5.4　X線回折法
　　8.5.5　X線トポグラフィー
　　8.5.6　ホトルミネセンス
　8.6　融液組成を制御した成長
9.　高純度ZnSeおよびCdTeバルク単結晶の成長と評価
　9.1　高純度単結晶の重要性
　9.2　ZnおよびCdの高純度精製
　9.3　昇華法によるZnSeおよびCdTeバルク単結晶の成長
　9.4　成長結晶の評価
10.　磁性半導体Euカルコゲナイドの結晶作製
　10.1　Euカルコゲナイドの特徴
　10.2　原材料多結晶試料作製
　10.3　バルク単結晶作製
11.　カルコパイライト型化合物の結晶成長
　11.1　カルコパイライト型化合物とは
　11.2　カルコパイライト型化合物半導体の基礎的性質
　11.3　カルコパイライト型化合物の結晶成長と諸性質
　　11.3.1　バルク単結晶成長
　　11.3.2　エピタキシャル成長
　11.4　結論

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