レス数が1スレッドの最大レス数(1000件)を超えています。残念ながら投稿することができません。

★iPhone年商3,000万台祈願★

941：fukuyas：2012/05/14(月) 00:56:38: 基礎デバイスの話。

最近知ったのだけど、電界誘起巨大抵抗変化を利用したReRAMというメモリがすごい勢いで実用化されつつあるんですね。
　http://ja.wikipedia.org/wiki/ReRAM

HDDやMRAMが電圧印加による磁性変化で記録をおこない、その変化を電気抵抗の変化として読み取るのに対して、
ReRAMは電圧印加による薄膜の抵抗変化そのもので情報を記録する。

理論的には、フラッシュより微細化＝高容量化＝低コスト化が可能、かつ、DRAM並みの高速応答も期待できる。
電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易
電圧で書き換えるため（電流が微量で）消費電力が小さい。

などいいことづくめ。
HP、Samsung、シャープ、パナソニック、エルピーダなどで技術開発が活発。
2012年には50nmプロセスで試作、2013年には30nmでギガビット級で量産の見込み。
このペースだと2015年にはフラッシュに追いつくかもしれない。期待大。

掲示板管理者へ連絡無料レンタル掲示板