大野英男掲示板スピントロニクスノーベル物理学賞

1：大野英男掲示板：2011/09/26(月) 20:08:50: （＊）「学問の探究本情報勉強掲示板 BBS」
http://gakumoninfo.seesaa.net/

（＊）大野英男（おおのひでお）教授プロフィール
http://www.bureau.tohoku.ac.jp/koho/pub/tdp2008/pdf_j/ouno.pdf
1977年東京大学工学部電子工学科卒業
1982年東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻修了、工学博士、大学院在学中1979年よりCornell大学に1年留学。
1982年北海道大学工学部電気工学科講師、1983年同助教授、1988年よりIBM T. J. Watson Res. Center に1年半滞在
1994年東北大学工学部電子工学科教授
1995年東北大学電気通信研究所教授
2004年東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設施設長併任。

＜主な受賞歴＞
第12回日本IBM科学賞受賞(1998年11月)
The IUPAP Magnetism Prize 受賞(2003年7月)
Institute of Physics フェロー (2004年9月)
日本学士院賞受賞(2005年6月)
東北大学総長特別賞受賞(2005年6月)
The 2005 Agilent Technologies Europhysics Prize受賞(2005年7月)
中国科学院半導体研究所名誉教授号(2006 年10月)
応用物理学会フェロー(2007年8月)

（＊）東北大学・大野研究室
http://www.ohno.riec.tohoku.ac.jp/japanese/index.html

（＊）大野英男インタビュー（Japan Nanonet Bulletin 第47号 : 2003年12月23日）
http://www.nanonet.go.jp/japanese/mailmag/2003/047a.html
半導体と磁性体の融合～強磁性半導体で広がるスピントロニクスの可能性～

（＊）スピントロニクス - Wikipedia
スピントロニクス (Spintronics) とは、固体中の電子が持つ電荷とスピンの両方を工学的に利用、応用する分野のこと。スピンとエレクトロニクス（電子工学）から生まれた造語である。マグネットエレクトロニクス (Magnetoelectronics) とも呼ばれるが、スピントロニクスの呼称の方が一般的である。この分野における代表的な例としては1988年に発見された巨大磁気抵抗効果があり、現在ハードディスクドライブのヘッドに使われている。

（＊）団塊の世代掲示板団塊世代 BBS
http://dankaisyowa.seesaa.net/
2：大野英男掲示板：2011/09/26(月) 20:11:09: 大野英男教授が「トムソン・ロイター引用栄誉賞（ノーベル賞有力候補者）」を受賞
http://science.thomsonreuters.jp/press/release/2011/2011-Citation-Laureates/
トムソン・ロイター（本社：米国ニューヨーク、日本オフィス：東京都千代田区）は、10月3日から予定されているノーベル賞受賞者の発表に先駆け、｢ノーベル賞有力候補者（トムソン・ロイター引用栄誉賞）」を発表いたします。
今回、新たに有力候補として加えられた研究者は24人。そのうち、日本からは物理学分野で、東北大学電気通信研究所・教授　東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター・センター長の大野英男氏が選出されました。
＜選考基準＞
「トムソン・ロイター引用栄誉賞」は、過去20年以上にわたる学術論文の被引用数に基づいて、各分野の上位0.1パーセントにランクする研究者の中から選ばれています。主なノーベル賞の分野における総被引用数とハイインパクト論文（各分野において最も引用されたトップ200論文）の数を調査し、ノーベル委員会が注目すると考えられるカテゴリ（物理学、化学、医学・生理学、経済学）に振り分け、各分野で特に注目すべき研究領域のリーダーと目される候補者が決定します。
3：大野英男掲示板：2011/09/26(月) 20:14:04: ノーベル賞「候補」に大野英男教授＝東北大、強磁性半導体研究―米文献会社
ttp://www.asahi.com/national/jiji/JJT201109210144.html
　１０月上旬のノーベル賞発表を前に、米文献データベース会社トムソン・ロイターは2011年9月２１日、今後ノーベル賞を受賞する可能性のある研究者２４人を発表した。日本人では物理学賞に、東北大電気通信研究所の大野英男教授の名前が挙がった。
　大野英男教授は半導体と磁性体の特徴を併せ持つ強磁性半導体を開発。この半導体を基に、世界中で低消費電力の記憶素子実現に向けた研究が進められている。１９９６年に発表した論文は１３００回以上引用され、各国の研究者に影響を与えている。
4：大野英男掲示板：2011/10/02(日) 04:36:29: 「半導体結晶成長」　発行年月日：1999/02/08
編著：大野英男

エレクトロニクスや最先端科学を支えている多様な半導体の結晶成長について，表面における原子・分子の動きをとらえることから，結晶成長とその技術，さらには成長した半導体結晶の性質に至るまでを解説した。

＜目次＞
1.　走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程のその場観察
　1.1　固相エピタキシーとは
　1.2　非晶質Siの表面モフォロジー
　1.3　SPE過程
2.　Si-Ge系のCVDエピタキシーと原子層成長制御
　2.1　高品質Si-Ge系ヘテロ構造の実現を目指して
　2.2　CVDプロセスの高清浄化
　2.3　CVD表面反応機構
　2.4　高Ge比率Si/Si1-xGex/Siヘテロ構造の形成
　2.5　SiとGeの原子層成長制御
3.　GaAsの単分子成長機構
　3.1　単分子層成長技術開発の経緯
　3.2　MOCVD反応系での反応
　3.3　分子層エピタキシー（MLE）
　3.4　MLEにおける表面吸着反応
4.　・-・族化合物半導体のエピタキシーと表面構造
　4.1　はじめに
　4.2　エピタキシャル成長の表面過程
　4.3　化合物半導体のエピタキシャル成長
　4.4　GaAsのMBE成長と表面構造
　4.5　GaAs成長の動的過程
　　4.5.1　MBE成長に伴うRHEED強度振動
　　4.5.2　マイグレーションエンハンストエピタキシー法におけるGaAs成長機構
　4.6　成長表面の実空間観察
　4.7　むすび
5.　・-・族希薄磁性半導体の結晶成長と物性
　5.1　半導体と磁性
　5.2　希薄磁性半導体
　5.3　分子線エピタキシー法による結晶成長
　5.4　電気的・磁性的性質
　5.5　エレクトロニクスに向けて
6.　・-・族半導体量子井戸の作製と光物性
　6.1　・-・族半導体
　6.2　・-・族半導体量子井戸の作製
　　6.2.1　ホットウォールエピタキシー法
　　6.2.2　Zn1-xCdxSe/ZnSe系量子井戸の成長
　6.3　・-・族半導体2次元量子井戸の光物性
　6.4　希薄磁性半導体量子井戸
　6.5　希薄磁性半導体量子ドット
　6.6　ナノ構造半導体の応用
7.　ZnS系材料の分子線エピタキシー成長
　7.1　光情報記録の鍵をにぎるワイドギャップ材料
　7.2　ZnS系材料の特徴
　7.3　MBE成長の概要
　7.4　光学的評価
　7.5　ZnSの伝導度制御
8.　垂直ブリッジマン法によるtwin-free ZnSe単結晶の作製と評価
　8.1　ZnSe単結晶の応用と結晶作製上の問題点
　8.2　結晶成長法
　8.3　self-seeding法による単結晶成長
　8.4　種結晶を用いた育成
　8.5　高圧溶融VB法育成単結晶の評価
　　8.5.1　基板の作製
　　8.5.2　直交ニコルによる観察
　　8.5.3　転位密度
　　8.5.4　X線回折法
　　8.5.5　X線トポグラフィー
　　8.5.6　ホトルミネセンス
　8.6　融液組成を制御した成長
9.　高純度ZnSeおよびCdTeバルク単結晶の成長と評価
　9.1　高純度単結晶の重要性
　9.2　ZnおよびCdの高純度精製
　9.3　昇華法によるZnSeおよびCdTeバルク単結晶の成長
　9.4　成長結晶の評価
10.　磁性半導体Euカルコゲナイドの結晶作製
　10.1　Euカルコゲナイドの特徴
　10.2　原材料多結晶試料作製
　10.3　バルク単結晶作製
11.　カルコパイライト型化合物の結晶成長
　11.1　カルコパイライト型化合物とは
　11.2　カルコパイライト型化合物半導体の基礎的性質
　11.3　カルコパイライト型化合物の結晶成長と諸性質
　　11.3.1　バルク単結晶成長
　　11.3.2　エピタキシャル成長
　11.4　結論

大野英男 掲示板 スピントロニクス ノーベル物理学賞