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レス数が1900を超えています。2000を超えると投稿できなくなるよ。
RNA:Ritsumeikan News Association vol.1
1872
:
名無しの立命生
:2014/08/02(土) 16:45:26 ID:Qb.jtJkk0
【日経テクノロジー】立命館大やMITなど、GaNをグラフェン/Si(100)上に成長させる技術を開発
野澤 哲生=日経エレクトロニクス2014/07/28 14:23
スペインGraphenea社は2014年7月25日、立命館大学などと共同で、Si(100)面上に
GaN結晶を成長させることに成功したと発表した。
ttp://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20140728/367650/
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