輪講実況中継 - 1317608835 - したらば掲示板

1：YK：2011/10/03(月) 11:27:15 ID:MU7Iq0SY: 1. M1 N氏
SrCr2As2
→ 1230℃でSUS管融ける→温度下げる
Si-doped BNの共同研究を依頼。
Cr-based 1111
→ 合成止めて、XRDの定性分析を行う。

2. M1 F氏
Sm-1111
144Sm同位体置換
磁化率, OK, 2 K で飽和傾向有り、4-5 K付近で反強磁性転移あり
→過去の結果と整合
リートベルト解析を今後行う。

3. M1 K氏
これまでのF-doped Sm-1111
半値幅大きい → ゼロ抵抗に至らない、過去の結果と整合
現在の粉末を使用して、バインダーの導入を行い、成功後、線材化
に進む予定。

4. M1 Sima氏
微量のダイヤはできた。(XRD上見分ける場合、要拡大)
再来週に実験@東京工業大学応セラ

5. M1 Sino氏
Sm-1111 (undoped F-doped)
反射率より、ボーメン → 反射率, 光伝導率(K-Kと測定不能域を仮定した上で導出) がもとまった。
F-doped の方が反射率小さい→ 良く吸収する → (F-dopedの影響)
Hitachi Hi Tech, LaCuSO, F-doped LaCuSOで F-dopedによる構造を確認。
2：YK：2011/10/11(火) 09:38:57 ID:MU7Iq0SY: 1. M1 O氏
F-doped オキシサルファイド(LaCuSO)
10 % doped は電気的性質は半導体的
キャリアドープはできた。要ゼーベック
試料にLaOF多いので、プレセス要改良

案1. LaCuSOを合成した後にLaCuSFとして配合。
案2. F量を減らす？
3：YK：2011/10/11(火) 09:50:02 ID:MU7Iq0SY: 2. M2 R.S.氏
熱伝導率測定、端子を間違えた。(アースをつけ忘れた。)
Fe-doped 0.1 atom %, Cu3SnS4 のZTはおおよそ 0.018 (300 K)
Bi-Te はZT = 0.9-1.1
4：YK：2011/10/11(火) 10:31:08 ID:MU7Iq0SY: 3. B4 I氏
Ce(Fe,Ru)POの合成と磁化測定
Ru 0, 1 atom % は2-300 Kで常磁性, Ceイオンはキュリー的
Ru 5 atom %は合成済み。
格子定数 aはベガード則に従う。c軸は従わない。
→量子臨界状態は 5-25 atom %の間の12 atom %程度と予想。

4. B4 T氏
S-deficient Co3Sn2S2の合成
600 ℃, 800 ℃, 1000 ℃ 不純物増えた。
得られた試料はインゴット。
要整形
要格子定数チェック

5. B4 Sio氏
購入したBNの粉砕ポットミル、20μmのサイズ

cubic-BNのバンド計算できた。
w-BNのバンド計算できない。
5：YK：2011/10/11(火) 10:46:25 ID:MU7Iq0SY: 6. M.T. 氏
N-doped LaCuSO
N 1-3 atom %程度を入れた。
電気抵抗Over load, 色白のまま。
6：YK：2011/10/11(火) 12:17:42 ID:MU7Iq0SY: 7. B4 Sj 氏
SmFeAsO:Fできない。
SmF3中の水分が原因？

8. D3 F氏
F-doped SmFeAsO のXRDパターンで半値幅でかくなっている。
粒形は2010年に作成した試料に比べ、2011年度に作成した試料の方がでかい。

F濃度の分布が存在しているとしか考えられない。
２－３月期の大気暴露？の影響。

ラッピングフィルムシート, 1, 0.5, 0.3μmを使用すると粒界が奇麗に見れる。

9. B4 N
CeFePOのメスバウワ
No Tc, IS, QSは金属の鉄としては普通。
CeFePOのQSはCeFeAsOに比べて大きい。
SmFePOのQSを評価すればよい。

10. B4 RY
LaCuSOへのFドープのバンド計算を試みる。
非ドープのスーパーセルの計算はうまくいっていない。

11. B4 T.Y.
LaCr2Si2Cを優先的に作成
高周波炉の水漏れチェック
アークメルト炉のバタフライバルブの納期要確認。

12. B4 Y.T.
合成の問題点
SrFe2As2 SUSと融着、取り出しに難あり。

Sr2VFeAsO3 Srと石英ガラスが反応しSrSO4が出来る。
緑色の異相、ガラスと反応。
BNの中に水が入っている？

13. B4 KS
シャンダイト合成
Se-doped Co3SnInS2を合成した。
要定性分析、要格子定数算出。