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管理人の独り言４
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中村 実さんはTwitterを使っています: "NAND flashの書き換え耐久性はわずか10^5。1000倍しても10^8。DRAMは10^15。STT-MRAMは10^12〜16。 / “IntelとMicron、“NANDより1000倍速い”新不揮発メモリ技術「3D X…” http://t.co/CqFeW9IHQA"
https://twitter.com/nminoru_jp/status/626411713634545664
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SSDと比較して多いんだったら，保存用ディスクとして利用したいな．scrubが滅茶苦茶早そう．
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