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輪講実況中継
1
:
YK
:2011/10/03(月) 11:27:15 ID:MU7Iq0SY
1. M1 N氏
SrCr2As2
→ 1230℃でSUS管融ける→温度下げる
Si-doped BNの共同研究を依頼。
Cr-based 1111
→ 合成止めて、XRDの定性分析を行う。
2. M1 F氏
Sm-1111
144Sm同位体置換
磁化率, OK, 2 K で飽和傾向有り、4-5 K付近で反強磁性転移あり
→過去の結果と整合
リートベルト解析を今後行う。
3. M1 K氏
これまでのF-doped Sm-1111
半値幅大きい → ゼロ抵抗に至らない、過去の結果と整合
現在の粉末を使用して、バインダーの導入を行い、成功後、線材化
に進む予定。
4. M1 Sima氏
微量のダイヤはできた。(XRD上見分ける場合、要拡大)
再来週に実験@東京工業大学応セラ
5. M1 Sino氏
Sm-1111 (undoped F-doped)
反射率より、ボーメン → 反射率, 光伝導率(K-Kと測定不能域を仮定した上で導出) がもとまった。
F-doped の方が反射率小さい→ 良く吸収する → (F-dopedの影響)
Hitachi Hi Tech, LaCuSO, F-doped LaCuSOで F-dopedによる構造を確認。
2
:
YK
:2011/10/11(火) 09:38:57 ID:MU7Iq0SY
1. M1 O氏
F-doped オキシサルファイド(LaCuSO)
10 % doped は電気的性質は半導体的
キャリアドープはできた。要ゼーベック
試料にLaOF多いので、プレセス要改良
案1. LaCuSOを合成した後にLaCuSFとして配合。
案2. F量を減らす?
3
:
YK
:2011/10/11(火) 09:50:02 ID:MU7Iq0SY
2. M2 R.S.氏
熱伝導率測定、端子を間違えた。(アースをつけ忘れた。)
Fe-doped 0.1 atom %, Cu3SnS4 のZTはおおよそ 0.018 (300 K)
Bi-Te はZT = 0.9-1.1
4
:
YK
:2011/10/11(火) 10:31:08 ID:MU7Iq0SY
3. B4 I氏
Ce(Fe,Ru)POの合成と磁化測定
Ru 0, 1 atom % は2-300 Kで常磁性, Ceイオンはキュリー的
Ru 5 atom %は合成済み。
格子定数 aは ベガード則に従う。c軸は従わない。
→量子臨界状態は 5-25 atom %の間の12 atom %程度と予想。
4. B4 T氏
S-deficient Co3Sn2S2の合成
600 ℃, 800 ℃, 1000 ℃ 不純物増えた。
得られた試料はインゴット。
要整形
要格子定数チェック
5. B4 Sio氏
購入したBNの粉砕 ポットミル、20μmのサイズ
cubic-BNのバンド計算できた。
w-BNのバンド計算できない。
5
:
YK
:2011/10/11(火) 10:46:25 ID:MU7Iq0SY
6. M.T. 氏
N-doped LaCuSO
N 1-3 atom %程度を入れた。
電気抵抗Over load, 色 白のまま。
6
:
YK
:2011/10/11(火) 12:17:42 ID:MU7Iq0SY
7. B4 Sj 氏
SmFeAsO:Fできない。
SmF3中の水分が原因?
8. D3 F氏
F-doped SmFeAsO のXRDパターンで半値幅でかくなっている。
粒形は2010年に作成した試料に比べ、2011年度に作成した試料の方がでかい。
F濃度の分布が存在しているとしか考えられない。
2−3月期の大気暴露?の影響。
ラッピングフィルムシート, 1, 0.5, 0.3μmを使用すると粒界が奇麗に見れる。
9. B4 N
CeFePOのメスバウワ
No Tc, IS, QSは金属の鉄としては普通。
CeFePOのQSはCeFeAsOに比べて大きい。
SmFePOのQSを評価すればよい。
10. B4 RY
LaCuSOへのFドープのバンド計算を試みる。
非ドープのスーパーセルの計算はうまくいっていない。
11. B4 T.Y.
LaCr2Si2Cを優先的に作成
高周波炉の水漏れチェック
アークメルト炉のバタフライバルブの納期要確認。
12. B4 Y.T.
合成の問題点
SrFe2As2 SUSと融着、取り出しに難あり。
Sr2VFeAsO3 Srと石英ガラスが反応しSrSO4が出来る。
緑色の異相、ガラスと反応。
BNの中に水が入っている?
13. B4 KS
シャンダイト合成
Se-doped Co3SnInS2を合成した。
要定性分析、要格子定数算出。
7
:
YK
:2011/10/17(月) 11:02:48 ID:DoVj7FUM
1. M2 A氏
P系 Ni-doped Ce1111
Seebeckにて、フィッティングミス?によるデータ取りこぼしあり。
ρ vs. T にて、T ~ 130 K 付近でkink有り。
→ 5 % doped のゼーベックを測定しなおし。
→ 5 % doped のρ vs. Tの 130 K 付近のheating & cooling を要測定。
→ 20 % doped の格子定数はVegard's rule に従わない。→磁性?
2. M2 I氏
論文執筆中。
F-doped GdFeAsO のF contents vs. Tcがないので作るか・・・。
→ undoped & F 10 % doped のみを作ることを指示。
MPMSが壊れた。
→ 東工大の共同研究を相談するか・・・。
3. M2 RS氏
Cu-Fe-Sn-S
この晶系はフォノンの影響が非常に大きい。
4. M2 G氏
Cu4Sn0.5Ge0.5S4を合成中。
5. M2 YS氏
SPring-8の準備
Fe-doped Co系 Shanditeの固溶限
0.5-0.6の間。
S欠陥の定量をした方がよい。
0.5 atom %
8
:
YK
:2011/11/14(月) 10:55:29 ID:5jDJLS6A
1. M2 A氏
Ni-doped CeFePO, x = 0.15 でkが最大。
2. M2 I氏
La0.5Gd0.5FeAsO1-xFx, x濃度依存性、不純物の多い試料のリートベルト解析は
信頼性が低いので、参考資料とする。
不純物の少ない試料の局所構造は、大体おなじ、→ x濃度に対してほぼ一定
を仮定して、局所構造変化を求めるては?
3. M2 YS氏
シャンダイトの融点をSXRD (エネルギー分解)で測定。
融点以上から急冷すると配勾する。
4. M2 RS氏
Cu-Sn-S系のZTがもとまる。BiTe系に比べて ひとけた落ち。
5. M1 F氏
144Smの試料合成済み
局所構造変化、今後の実験のプロポーサル
9
:
YK
:2011/11/28(月) 10:18:45 ID:sj01kQ2k
1. M1 K氏
F8atom%-doped SmFeAsOの合成 XRD的には単相, 超伝導体積低い。
→ 新しい発熱体、OHの少ない石英ガラスを使用して再合成。
→ F10% dopedはできている。
2. M1 N氏
SrCr2As2は 1000 ℃ でも合成可
しかし、試料は脆い。→ Srの混ざりが悪いのが原因。
Srを試料中に分散させる方法がKey。
例. バインダー, 低温での一時熱処理 B4 T氏
3. B4 Y氏
Cu3SnInS2-xSexは全固溶?ただし異相有。
4. D3 F氏
シース材は二重がよさそう。内側はアレ、外側はアレ。
10
:
YK
:2011/12/05(月) 13:45:27 ID:6Nz4wDvw
1. M1 YO 氏
F-doped 1111(Cu-based) の ゼーベック係数は正?
2. B4 S氏
バンド計算 Si-doped BNは金属化
スーパーセルとユニットセルでバンド構造がことなるのは?
間接遷移と直接遷移の違いが生じているのはありうるのか。
3. B4 YT氏
21131 できた。
脆いので電気抵抗測定できず。
21131内でSUSを1180℃で熱処理すると、異相としてCr2O3が析出。
Sr3-SrO-V2O3 の上限は 580 ℃
4. B4 RT氏
Co3Sn2S2, S欠陥は 0.04 までは入る。
二次熱処理による組成変化を要議論。
5. B4 N氏
Tcに対しては1111はd電子の勾配が効いている。
6. B4 TY氏
Cr系超伝導探索、BC系はできた。
CrAsもできた。
7. B4 MT氏
N-doped 1111 (Cu-based)
ドープはできたがキャリア入らず。
→反射率測定を行い、エネルギー準位を解析する。
8. B4 KY
Cu-In-Sn-S-Se
ドープした試料はべガード的な格子定数変化を示した。
9. M1 HS
Sm-1111の紫外〜赤外領域の分光完了。温度は 4 K, 77 K, RT
10. B4 HS
Mindlab 講座
11
:
YK
:2012/01/23(月) 09:58:15 ID:vYp7/4v6
1. M2 SI氏
?超伝導研究全体に対する背景?
?なぜに局所構造?
?なぜにGd0.5La0.5?
?Tcは高いの?低いの?
?べガード則を適切に導入する。?
12
:
YK
:2012/01/23(月) 10:33:33 ID:vYp7/4v6
2. YG氏
?試料合成方法は?
?リートベルト解析って?
?組成の純度は?
?先行研究についてよりクリアに?
?相転移について、詳しく表などで説明した方が良い?
?低温相はGe置換により影響を受けない?
?局所構造を図入りで詳しく?
?熱振動は別枠でより詳しく説明する?
13
:
YK
:2012/01/23(月) 12:43:58 ID:vYp7/4v6
3.HA氏
事実の淡々と
MEMと輸送現象の相関について、注意
4. YS氏
TMS2の引用
フローチャート
5. RS氏
擬二次元構造の示し方 要化学結合
背景で具体的な数値をもっと入れる。
14
:
YK
:2014/09/12(金) 15:51:10 ID:fJffHxCQ
プレ技での悲喜こもごもを
黒子のバスケに習って技術名をつけときます.
Steve Jobs' ability
Junior High School students
Absent Minded
All or nothing copy and pasted
15
:
YK
:2014/10/03(金) 18:51:36 ID:6Nz4wDvw
http://en.wikipedia.org/wiki/Michael_Mingos
化学屋さん
16
:
YK
:2016/06/27(月) 13:26:58 ID:tqKRF/mY
RF氏の発表注意点
理解を促進するための図, 式を自作されたい.
DFT, LAPW等の略語の略す前の表現を示されたい.
引用は, 著者の明らかな文献を選択すべし.
【悪い例】著者不明のもの
Quizを示すこと.
17
:
YK
:2016/06/27(月) 13:31:21 ID:yDMygD46
MY
XRD pattern of SrO
大気中で水を吸って, SrO以外のピークが出ているが
第二相はなぁに? → 縦軸はLogスケールにスべし.
18
:
YK
:2016/06/27(月) 13:43:50 ID:yDMygD46
KK氏の発表注意点
強いていうと, 温度を示す Tはitallic, 物理量を示す時は, 数値と単位の間にスペース入れる.
自然なドーピングのスーパーセルの構造緩和結果を知りたいす.
19
:
YK
:2016/06/27(月) 14:00:57 ID:DK4pb5So
MM
ワイヤーのprecursorの写真を,黒背景で写真に取る必要がある.
20
:
YK
:2016/07/11(月) 09:14:31 ID:EUsoR8EY
MH氏
1. 既存の太陽電池材料を表にする.
既存の太陽電池の材料の性能 vs. year があるとよい.
2. 計算原理を一枚に指定示す. Eg の計算方法も示す.
3. Shibuya氏の文献引用は早めに示す.
4. CZTSが何の略かを示す.
5. Siのバンドギャップを仮に1.7 eVとすると...の部分を説明する論文を作成する.
6. 結晶構造の説明を化学的・結晶学的にしましょう.
21
:
YK
:2016/07/11(月) 09:21:24 ID:EUsoR8EY
太陽電池に関するプレゼンには
研究背景には,
https://en.wikipedia.org/wiki/Solar_cell_efficiency
#/media/File:PVeff(rev160420).jpg
を引用付き
Reported timeline of solar cell energy conversion efficiencies since 1976 (National Renewable Energy Laboratory)
で載せましょう.
22
:
YK
:2016/07/11(月) 09:31:34 ID:EUsoR8EY
前の方で, "論文を作成" -> "論文を引用"
23
:
YK
:2016/07/11(月) 09:46:22 ID:EUsoR8EY
更に補足です.
太陽電池や機能性材料等の性能と研究の価値がほぼ等価なテーマで
研究する場合は必ず 過去から現在までの進捗がわかるような図を
スライドに引用とともに載せて下さい.
アメリカ合衆国 National Renewable Energy Laboratory (NREL)
http://www.nrel.gov/
の作製した.
1970年以降の変換効率 vs. yer
http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg
を使うことをお勧めします.
24
:
YK
:2016/07/11(月) 09:51:58 ID:EUsoR8EY
YM氏
コマ鳥の原著論文の引用しましょう.
光誘発フォトサイクルの略字を全て, 正確な分子式etcで示すスライドを示す.
簡単なシュレディンガー方程式 → 存在確立の計算 → ブラケットの表記
と数式的な節目ををしましょう.
spin にを図示すること.
Pure と mixed の差を明記しましょう.
目的を, 日本語で示してみましょう.
25
:
YK
:2016/07/11(月) 09:55:10 ID:EUsoR8EY
量子もつれを示すスライドをわかりやすくするために
水素分子 (核, 核, s電子, s電子のスピンで示す.)とわかりやすいのでは?
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