輪講実況中継 - 1317608835 - したらば掲示板

1：YK：2011/10/03(月) 11:27:15 ID:MU7Iq0SY: 1. M1 N氏
SrCr2As2
→ 1230℃でSUS管融ける→温度下げる
Si-doped BNの共同研究を依頼。
Cr-based 1111
→ 合成止めて、XRDの定性分析を行う。

2. M1 F氏
Sm-1111
144Sm同位体置換
磁化率, OK, 2 K で飽和傾向有り、4-5 K付近で反強磁性転移あり
→過去の結果と整合
リートベルト解析を今後行う。

3. M1 K氏
これまでのF-doped Sm-1111
半値幅大きい → ゼロ抵抗に至らない、過去の結果と整合
現在の粉末を使用して、バインダーの導入を行い、成功後、線材化
に進む予定。

4. M1 Sima氏
微量のダイヤはできた。(XRD上見分ける場合、要拡大)
再来週に実験@東京工業大学応セラ

5. M1 Sino氏
Sm-1111 (undoped F-doped)
反射率より、ボーメン → 反射率, 光伝導率(K-Kと測定不能域を仮定した上で導出) がもとまった。
F-doped の方が反射率小さい→ 良く吸収する → (F-dopedの影響)
Hitachi Hi Tech, LaCuSO, F-doped LaCuSOで F-dopedによる構造を確認。
2：YK：2011/10/11(火) 09:38:57 ID:MU7Iq0SY: 1. M1 O氏
F-doped オキシサルファイド(LaCuSO)
10 % doped は電気的性質は半導体的
キャリアドープはできた。要ゼーベック
試料にLaOF多いので、プレセス要改良

案1. LaCuSOを合成した後にLaCuSFとして配合。
案2. F量を減らす？
3：YK：2011/10/11(火) 09:50:02 ID:MU7Iq0SY: 2. M2 R.S.氏
熱伝導率測定、端子を間違えた。(アースをつけ忘れた。)
Fe-doped 0.1 atom %, Cu3SnS4 のZTはおおよそ 0.018 (300 K)
Bi-Te はZT = 0.9-1.1
4：YK：2011/10/11(火) 10:31:08 ID:MU7Iq0SY: 3. B4 I氏
Ce(Fe,Ru)POの合成と磁化測定
Ru 0, 1 atom % は2-300 Kで常磁性, Ceイオンはキュリー的
Ru 5 atom %は合成済み。
格子定数 aはベガード則に従う。c軸は従わない。
→量子臨界状態は 5-25 atom %の間の12 atom %程度と予想。

4. B4 T氏
S-deficient Co3Sn2S2の合成
600 ℃, 800 ℃, 1000 ℃ 不純物増えた。
得られた試料はインゴット。
要整形
要格子定数チェック

5. B4 Sio氏
購入したBNの粉砕ポットミル、20μmのサイズ

cubic-BNのバンド計算できた。
w-BNのバンド計算できない。
5：YK：2011/10/11(火) 10:46:25 ID:MU7Iq0SY: 6. M.T. 氏
N-doped LaCuSO
N 1-3 atom %程度を入れた。
電気抵抗Over load, 色白のまま。
6：YK：2011/10/11(火) 12:17:42 ID:MU7Iq0SY: 7. B4 Sj 氏
SmFeAsO:Fできない。
SmF3中の水分が原因？

8. D3 F氏
F-doped SmFeAsO のXRDパターンで半値幅でかくなっている。
粒形は2010年に作成した試料に比べ、2011年度に作成した試料の方がでかい。

F濃度の分布が存在しているとしか考えられない。
２－３月期の大気暴露？の影響。

ラッピングフィルムシート, 1, 0.5, 0.3μmを使用すると粒界が奇麗に見れる。

9. B4 N
CeFePOのメスバウワ
No Tc, IS, QSは金属の鉄としては普通。
CeFePOのQSはCeFeAsOに比べて大きい。
SmFePOのQSを評価すればよい。

10. B4 RY
LaCuSOへのFドープのバンド計算を試みる。
非ドープのスーパーセルの計算はうまくいっていない。

11. B4 T.Y.
LaCr2Si2Cを優先的に作成
高周波炉の水漏れチェック
アークメルト炉のバタフライバルブの納期要確認。

12. B4 Y.T.
合成の問題点
SrFe2As2 SUSと融着、取り出しに難あり。

Sr2VFeAsO3 Srと石英ガラスが反応しSrSO4が出来る。
緑色の異相、ガラスと反応。
BNの中に水が入っている？

13. B4 KS
シャンダイト合成
Se-doped Co3SnInS2を合成した。
要定性分析、要格子定数算出。
7：YK：2011/10/17(月) 11:02:48 ID:DoVj7FUM: 1. M2 A氏
P系 Ni-doped Ce1111
Seebeckにて、フィッティングミス？によるデータ取りこぼしあり。
ρ vs. T にて、T ~ 130 K 付近でkink有り。
→ 5 % doped のゼーベックを測定しなおし。
→ 5 % doped のρ vs. Tの 130 K 付近のheating & cooling を要測定。
→ 20 % doped の格子定数はVegard's rule に従わない。→磁性？

2. M2 I氏
論文執筆中。
F-doped GdFeAsO のF contents vs. Tcがないので作るか・・・。
→ undoped & F 10 % doped のみを作ることを指示。
MPMSが壊れた。
→ 東工大の共同研究を相談するか・・・。

3. M2 RS氏
Cu-Fe-Sn-S
この晶系はフォノンの影響が非常に大きい。

4. M2 G氏
Cu4Sn0.5Ge0.5S4を合成中。

5. M2 YS氏
SPring-8の準備
Fe-doped Co系 Shanditeの固溶限
0.5-0.6の間。
S欠陥の定量をした方がよい。
0.5 atom %
8：YK：2011/11/14(月) 10:55:29 ID:5jDJLS6A: 1. M2 A氏
Ni-doped CeFePO, x = 0.15 でkが最大。

2. M2 I氏
La0.5Gd0.5FeAsO1-xFx, x濃度依存性、不純物の多い試料のリートベルト解析は
信頼性が低いので、参考資料とする。
不純物の少ない試料の局所構造は、大体おなじ、→ x濃度に対してほぼ一定
を仮定して、局所構造変化を求めるては？

3. M2 YS氏
シャンダイトの融点をSXRD (エネルギー分解)で測定。
融点以上から急冷すると配勾する。

4. M2 RS氏
Cu-Sn-S系のZTがもとまる。BiTe系に比べてひとけた落ち。

5. M1 F氏
144Smの試料合成済み
局所構造変化、今後の実験のプロポーサル
9：YK：2011/11/28(月) 10:18:45 ID:sj01kQ2k: 1. M1 K氏
F8atom%-doped SmFeAsOの合成 XRD的には単相, 超伝導体積低い。
→ 新しい発熱体、OHの少ない石英ガラスを使用して再合成。
→ F10% dopedはできている。

2. M1 N氏
SrCr2As2は 1000 ℃ でも合成可
しかし、試料は脆い。→ Srの混ざりが悪いのが原因。
Srを試料中に分散させる方法がKey。
例. バインダー, 低温での一時熱処理 B4 T氏

3. B4 Y氏
Cu3SnInS2-xSexは全固溶？ただし異相有。

4. D3 F氏
シース材は二重がよさそう。内側はアレ、外側はアレ。
10：YK：2011/12/05(月) 13:45:27 ID:6Nz4wDvw: 1. M1 YO 氏
F-doped 1111(Cu-based) のゼーベック係数は正？

2. B4 S氏
バンド計算 Si-doped BNは金属化
スーパーセルとユニットセルでバンド構造がことなるのは？
間接遷移と直接遷移の違いが生じているのはありうるのか。

3. B4 YT氏
21131 できた。
脆いので電気抵抗測定できず。
21131内でSUSを1180℃で熱処理すると、異相としてCr2O3が析出。

Sr3-SrO-V2O3 の上限は 580 ℃

4. B4 RT氏
Co3Sn2S2, S欠陥は 0.04 までは入る。
二次熱処理による組成変化を要議論。

5. B4 N氏
Tcに対しては1111はd電子の勾配が効いている。

6. B4 TY氏
Cr系超伝導探索、BC系はできた。
CrAsもできた。

7. B4 MT氏
N-doped 1111 (Cu-based)
ドープはできたがキャリア入らず。
→反射率測定を行い、エネルギー準位を解析する。

8. B4 KY
Cu-In-Sn-S-Se
ドープした試料はべガード的な格子定数変化を示した。

9. M1 HS
Sm-1111の紫外～赤外領域の分光完了。温度は 4 K, 77 K, RT

10. B4 HS
Mindlab 講座
11：YK：2012/01/23(月) 09:58:15 ID:vYp7/4v6: 1. M2 SI氏
？超伝導研究全体に対する背景？
？なぜに局所構造？
？なぜにGd0.5La0.5?
?Tcは高いの？低いの？
?べガード則を適切に導入する。?
12：YK：2012/01/23(月) 10:33:33 ID:vYp7/4v6: 2. YG氏
?試料合成方法は？
?リートベルト解析って?
？組成の純度は？
？先行研究についてよりクリアに?
？相転移について、詳しく表などで説明した方が良い？
?低温相はGe置換により影響を受けない？
?局所構造を図入りで詳しく?
?熱振動は別枠でより詳しく説明する?
13：YK：2012/01/23(月) 12:43:58 ID:vYp7/4v6: 3.HA氏
事実の淡々と
MEMと輸送現象の相関について、注意

4. YS氏
TMS2の引用
フローチャート

5. RS氏
擬二次元構造の示し方要化学結合
背景で具体的な数値をもっと入れる。
14：YK：2014/09/12(金) 15:51:10 ID:fJffHxCQ: プレ技での悲喜こもごもを
黒子のバスケに習って技術名をつけときます.

Steve Jobs' ability
Junior High School students
Absent Minded
All or nothing copy and pasted
15：YK：2014/10/03(金) 18:51:36 ID:6Nz4wDvw: http://en.wikipedia.org/wiki/Michael_Mingos

化学屋さん
16：YK：2016/06/27(月) 13:26:58 ID:tqKRF/mY: RF氏の発表注意点

理解を促進するための図, 式を自作されたい.
DFT, LAPW等の略語の略す前の表現を示されたい.
引用は, 著者の明らかな文献を選択すべし.
【悪い例】著者不明のもの

Quizを示すこと.
17：YK：2016/06/27(月) 13:31:21 ID:yDMygD46: MY
XRD pattern of SrO
大気中で水を吸って, SrO以外のピークが出ているが
第二相はなぁに? → 縦軸はLogスケールにスべし.
18：YK：2016/06/27(月) 13:43:50 ID:yDMygD46: KK氏の発表注意点
強いていうと, 温度を示す Tはitallic, 物理量を示す時は, 数値と単位の間にスペース入れる.
自然なドーピングのスーパーセルの構造緩和結果を知りたいす.
19：YK：2016/06/27(月) 14:00:57 ID:DK4pb5So: MM
ワイヤーのprecursorの写真を,黒背景で写真に取る必要がある.
20：YK：2016/07/11(月) 09:14:31 ID:EUsoR8EY: MH氏

1. 既存の太陽電池材料を表にする.
既存の太陽電池の材料の性能 vs. year があるとよい.

2. 計算原理を一枚に指定示す. Eg の計算方法も示す.

3. Shibuya氏の文献引用は早めに示す.

4. CZTSが何の略かを示す.

5. Siのバンドギャップを仮に1.7 eVとすると...の部分を説明する論文を作成する.

6. 結晶構造の説明を化学的・結晶学的にしましょう.
21：YK：2016/07/11(月) 09:21:24 ID:EUsoR8EY: 太陽電池に関するプレゼンには
研究背景には,

https://en.wikipedia.org/wiki/Solar_cell_efficiency#/media/File:PVeff(rev160420).jpg
を引用付き

Reported timeline of solar cell energy conversion efficiencies since 1976 (National Renewable Energy Laboratory)

で載せましょう.
22：YK：2016/07/11(月) 09:31:34 ID:EUsoR8EY: 前の方で, "論文を作成" -> "論文を引用"
23：YK：2016/07/11(月) 09:46:22 ID:EUsoR8EY: 更に補足です.

太陽電池や機能性材料等の性能と研究の価値がほぼ等価なテーマで
研究する場合は必ず過去から現在までの進捗がわかるような図を
スライドに引用とともに載せて下さい.

アメリカ合衆国 National Renewable Energy Laboratory (NREL)
http://www.nrel.gov/
の作製した.
1970年以降の変換効率 vs. yer
http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg
を使うことをお勧めします.
24：YK：2016/07/11(月) 09:51:58 ID:EUsoR8EY: YM氏

コマ鳥の原著論文の引用しましょう.

光誘発フォトサイクルの略字を全て, 正確な分子式etcで示すスライドを示す.

簡単なシュレディンガー方程式 → 存在確立の計算 → ブラケットの表記
と数式的な節目ををしましょう.

spin にを図示すること.

Pure と mixed の差を明記しましょう.

目的を, 日本語で示してみましょう.
25：YK：2016/07/11(月) 09:55:10 ID:EUsoR8EY: 量子もつれを示すスライドをわかりやすくするために
水素分子 (核, 核, s電子, s電子のスピンで示す.)とわかりやすいのでは?
26：YK：2016/07/14(木) 10:15:31 ID:EUsoR8EY: TK氏

○PIT 熱と電圧をどうにかする素子の、起電力測定方法はどうするか？
○試料サイズはどの程度が最適化?
以下は質問しなかった。
○熱処理は必要不必要?
27：YK：2016/07/14(木) 10:19:04 ID:EUsoR8EY: KI氏

○ 比熱測定の原理と具体的な素子の写真を示すべきである。
○ ガンマ線は XX keVで表されるので修正
○ そもそもの目的で過剰見積はしない。
　"この熱電材料の性能はすごいです、過去に類を見ないです"
→ Bi2T3の10%位の性能しか出ないダメ材料
という論理構造は避けよう.
○ 最小二乗法によるフィッティングはどうする？
○ 磁場下の比熱には明らかにショットキーが乗っている。
28：YK：2016/07/14(木) 10:22:55 ID:EUsoR8EY: MY氏

○ 試料表面についた炭素の影響を検証する.(学会で質問がでた。)
○ 電極用基板にカーボンテープの巻いてある状態も写真を取る.
写真からは、導通のとれたことが確認できないので, 拡大する.
○ ダメ試料の測定結果は?
○ 字が多いので、減らす.
29：YK：2016/07/14(木) 10:23:38 ID:EUsoR8EY: MY氏

だめな基板で測定した V-Iの結果も示す.
30：YK：2016/07/14(木) 10:52:12 ID:EUsoR8EY: SK氏

○アウトラインには、内容を示す文言を示す.
○IOTは流行り言葉なので、"一兆のデバイスの電源"として期待されているのようなカッコつけもOK
○Keio Uni. → Keio Univ.
○よくある質問として, ZTを決めるメカニズムがあるので, 知ったかぶりをしないで応えること.
○層状構造 → 層状, 言葉を揃えるという意味ね.
○定常法の素子 + 電極付の写真を載せる. 汚くてもOK
31：YK：2016/07/14(木) 10:58:53 ID:EUsoR8EY: SK氏
○過去の結果の扱いは, 慎重に, LaCuSOの輸送現象はどこまでがHK氏の結果?
銅欠陥の定量はあたらしいけども. 過去の結果と比べてどうよ?
○1111系の試料を作成した方の氏名は, 謝辞として示す.
○BiCuSeOの過去の報告をまずは示す.
○鉄の標準試料の結果は?
○問題定義をすべきである.
○はじめに1111の何を測定したかの表を示す.
32：YK：2016/07/14(木) 11:26:32 ID:EUsoR8EY: SK氏への宿題
○Feの黒体放射の温度依存性を書く
○Feの黒体放射による熱の損失を、単位面積当たりで計算する.
○Straiゲージからの発熱量を計算する.
○室温でのみ計算する.
33：YK：2016/07/14(木) 11:52:29 ID:oi2MkeSc: RK氏

○なぜにAlのフォノンを計算している?
理由がスライドで見えるように示す.

○Supercell 法 → Supercell を仮定

○Phonon software の原理を示す. (スライドを用意しておく)

○Alのデバイ温度はどう考える?
実験結果と比べて, DFTで得られた結果の信頼性を議論する.

○計算機のスペックに関する情報を述べる.
計算コストについて予備スライドを示す.
34：YK：2016/07/14(木) 12:10:00 ID:EUsoR8EY: SN氏

○ 概要の文字を, 工夫して大きめに
○ 体言止めを徹底
○ 試料由来について酒井氏の博論を引用としてつける.
"提供していただいた"の文言を示す.
○ 仕込み量 → 仕込みの O / H 比
○ 磁化測定の縦軸を g ではなく molにする.
○ それぞれの組成について, 体積分率を示す.
○ 電気抵抗測定について述べる.
○ TDSの原理
○ TDSの縦軸のスケールで 10のべき乗に "E"を使用するのは不可
○ EPMAについては謝辞をつけるべし
○ 卒論からなにが進んだのかを述べる.
○ SmのBESTの化学組成を, 修正する. nominalは不可
○ nominal組成とVVR組成とEPMAによる組成を, 物性測定の前にまとめて示す.
○ Si ダイオードの刺さった状態でGM冷凍機写真を撮る.
○ 標準試料に関して外部の装置 → 温度較正のなされた装置による結果
○ "電気抵抗率での同位体効果を検証" → "電気抵抗率によるTc測定"
35：YK：2016/07/14(木) 20:09:40 ID:fJffHxCQ: HS氏

1枚目: "磁気的性質" -> "磁性"
1枚目: 化学式の下付きの表記で手を抜かない
2枚目: 概要は, 具体的に書くべし
3,4枚目: なぜ Cr系を選択したかの理由を述べよ, 新規性? 磁性?
3,4枚目: 4f電子系におけるKondo effect と RKKYの図が不適切
井田氏と情報を共有して相談すること.
5枚目: なぜに, ２つの系を測定しているか, 表などを用いて述べること
希土類は他にもいっぱいある. なぜに現在の希土類の入ったものを使用した?
6枚目: Density of State (DOS) とする.
6枚目: 結晶合成と磁化測定は, 先人たちのしごとです.
そのことがわかるように, 記述すること, Yさん Tさん, Nさんの仕事を表にして紹介すること.
その上で, 貴君の仕事を位置づけること.
6枚目: 緩和法の原理, 方法, 概念図, 実際の試料セットをした写真を示すスライドを作成されたい.
7枚目: 結果ではなく先人たちの仕事による試料評価では? 試料のXRDとして方法として扱うべき.
8,9枚目: 試料の由来として, Arrot plotを示すこと. 図の完成度を挙げて下さい.
10枚目, 11枚目: それぞれ一つの図にまとめる. プロットの形を変える等, 学生実験で習ったことを活かして下さい.
10枚目, 11枚目以降: Laの場合とSmの場合が同時に説明されると大混乱します.
片方だけに絞るか, 一つの系を説明し終わってから, もう一つの系の説明をするなどの工夫をすること.
結論にて, 磁気的性質は先人たちの仕事なので, 貴君の結論ではありません. 背景として述べること
γの単位が抜けているので追記すること. "明確化"の意味不明, 相転移が熱的にも測定されたといえば良いだけでは?
"4f電子由来である可能性" -> "4f由来であることを強く示唆する"

検討願います.
36：YK：2016/08/07(日) 16:10:01 ID:fJffHxCQ: 低温の研究を開始する学生へのE-mail

○ 装置の修理は研究ではありません.

○ 3He冷凍機では試料合成できません.
材料の研究は
　 0. 背景理解
1. 問題の設定, アプローチの検討
　 2. 試料合成
3. 試料の化学的な評価
4. 試料の物理的(電気的)な評価
5. 物理機構の解明 (これを1の時点で計算機化学的に行うのが現代的)
6. 不良検定 (理論と評価方法の。。。)
7. まとめ or 結論
8. 0に戻る.
です. 言葉の意味が不明かもしれないので
不明な点は先輩たちに教えてもらいましょう.
プレゼンテーション技法で示さなければならないのは, 0と1です.
"2-6"に関しては, 個人差が相当に激しく
私どもの研究室で実験を通して鍛えるのはこの部分ですが
まずは, 0と1をどうにかしましょう.
　貴君の場合は, 4のための準備を1の中に組み込むテーマですかね.

○ 自前の3Heは動くことは, 去年の修論で分かりましたし
電極も入れられることがわかりました.
今度やることは, 試料に電極をつけてから
冷凍機に設置しやすくするための,
新型試料ホルダー(の一部)の開発です.
ベークライトを削りだして, 穴を空けて
電極をつけるなどの工夫をすれば可能と思います.
　例えば
http://www.unique-medical.jp/denkyoku2.pdf
の業者に見積依頼をすると良いかもしれません.
　 *PDFファイルの5ページ目参照

○ 3He冷凍機の原理を調べて下さい.
日本語の教科書は
"低温技術" (大塚, 小林)
がおすすめです.

　上記を説明する上で必要なキーワードを並べておきます.
4Heの状態相図(圧力 vs. 温度)
3Heの同上
飽和蒸気圧
減圧
3Heと4Heの蒸気圧の比

低温に関して
ざっくりと知るには
http://www.ltm.kyoto-u.ac.jp/lecturenote/lecturenote2012/sasaki/sasaki_120509.pdf

あたりを読んでみてください.
37：YK：2016/08/09(火) 09:35:23 ID:DOIs7QFI: プレ技対策

RFの説明詰まったところ

"hydride reacts with reversibly hydrogen"
の言葉の定義 → やり直し
38：YK：2016/08/09(火) 10:07:15 ID:DOIs7QFI: プレ技対策
MN

正規組成 → 定比組成
最後の一行で、考察の範囲で、多少ホラを吹くことを勧める.
ホラ: 最高に研究がうまく言った場合の、得られる成果
39：YK：2016/08/09(火) 10:40:52 ID:DOIs7QFI: MM

高温超伝導体 → 具体的に
なぜに低温?

引用すべき文献
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0953-2048/11/11/020/pdf
40：YK：2016/08/09(火) 11:26:43 ID:DOIs7QFI: Word使用上の注意

プレゼンテーション技法@2016で使用されているテンプレ
アブストラクトの行間は広めなので、文章が1ページに収まらない場合は

段落 → 行間を12 pt で固定とすると体裁は綺麗になります。

文章の体裁で、質問を受けた場合は, テンプレの体裁に揃えた旨を
返答すること。
41：YK：2016/08/09(火) 14:28:28 ID:EUsoR8EY: PAW法を使用する人は以下の論文を必ず引用すること

J. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys., Rev., Lett., 77, 3865 (1996).
G. Kresse and J. Furthmu ̈uller, Phys. Rev. B, 54, 11169 (1996).
G. Kresse and J. Furthmu ̈ller, Computat. Mats Sci., 6, 15 (1996).
42：YK：2016/08/09(火) 15:58:16 ID:EUsoR8EY: YKさん

受動態苦戦中。
43：YK：2016/08/09(火) 16:24:53 ID:EUsoR8EY: MYさん

日本語作成苦戦中。

試料合成に関する内容
44：YK：2016/08/18(木) 14:58:17 ID:DOIs7QFI: 文献引用時の
省略形(abbreviations, abbr)
は以下のサイトを参考にして下さい.

http://library.caltech.edu/reference/abbreviations/

大抵の雑誌名は掲載されています.

使用例. Physical review letters
で調べると"PHYS REV LETT"と書かれているので
Phys. Rev. Lett.
として省略形を記載して下さい"."は省略の意味でよく使われます.

その他詳細は
添付のファイルの"引用の順番は適切か？"
45：YK：2016/08/18(木) 15:05:37 ID:DOIs7QFI: International tableの読み方等は
http://www.kyoritsu-pub.co.jp/bookdetail/9784320034099
物質の対称性と群論 (今野豊彦著)を
一読することを勧めます.
46：YK：2016/08/18(木) 15:14:42 ID:DOIs7QFI: 文献からのデータ読み取りは
"digital curve tracer"
http://www.vector.co.jp/soft/win95/business/se174822.html
を使用することを勧めます.
47：YK：2016/08/20(土) 19:45:53 ID:fJffHxCQ: MM氏

○最初のスライドに, 発表内容を説明しやすい図を2つ程度入れる
例えば, 光学顕微鏡の写真など
○二枚目の概要は
背景, 目的, 実験方法, 結果と考察, 結論
といった当たり前のことばの羅列ではなく,
それぞれの詳細を示すこと.
e.g. 目的は具体的には、何?
実験方法は具体的には何?, 化学分析?, 電気測定?
　　　バイオテンプレートのようなキーワードを使用をしては?
結果は？、考察をこの内容(Simonさんの再現実験)で行うのは難しいのでは?
結論は? 何が出来た?
背景説明のために以下の本を、一通り読むことを勧めます.
"自己組織化とは何か第2版―自分で自分を作り上げる驚異の現象とその応用 (ブルーバックス)"
http://booklog.jp/item/1/406257635X
*面接対策によいかもね.

○超伝導体発見の歴史のスライドは必要?
仮にこのスライドを使用する場合, YBCOをどのように関連付けて説明する?

○YBCOの相図のスライドの前に結晶構造のスライドを示すべき

○結晶構造について説明できる？
　宿題: YBCOの空間群, 原子配置を調べて載せること
酸素量によって異なります.
○YBa2Cu3O7-d (YBCO)と定義してから YBCO のような省略形を使用すること.
*英語のルールです

○装置の詳細を示す(または用意する)こと
光学顕微鏡は、どのメーカーのどの装置?
SEMはどのメーカーのどの装置?
TEMは(略
XRDは(略
EDXは(略

○SEMの原理を説明できますか?
TEMの原理を説明できますか?
問題: 結晶構造がわかるのはどちら?

使用しているXRD装置の原理を説明できますか?
問題: 光源の波長を示せ, 光学系を説明せよ, 光学系でカウンタモノクロメータはどこにある?
(ヒント: Bragg. Brentano集中光学系と呼ばれています.)
48：YK：2017/01/25(水) 11:12:29 ID:6Nz4wDvw: 振動の勉強
http://bylines.news.yahoo.co.jp/ohtayasuhiro/20161010-00063083/
49：YK：2017/06/28(水) 12:31:11 ID:as2OSnv6: 5年後の未来も予想できないという見本

HDD派@2011
http://ascii.jp/elem/000/000/658/658961/

磁気テープの現状@2017
http://fujifilm.jp/business/oa_media/datastorage/ltotape/index.html?link=n2u